IPD60R600C6ATMA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 7.3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 7.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 600 мОм |
| Мощность макс.: | 63Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 20.5нКл |
| Входная емкость: | 440пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD60R600C6ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.3 А |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
| Корпус: | PG-TO252-3 |
Описание
IPD60R600C6ATMA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 7.3A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.