• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IPW60R060C7XKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 54А 162Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:650В
Ток стока макс.:54А
Мощность макс.:162Вт
Тип транзистора:N-канальный
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:PG-TO247-3
Вес брутто:8.1 г.
Наименование:IPW60R060C7XKSA1
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:30 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IPW60R060C7XKSA1 от Infineon Technologies. Этот компонент отличается надежностью, высокой эффективностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.

Транзистор IPW60R060C7XKSA1 способен выдерживать напряжение сток-исток до 650 В и пропускать ток до 54 А, при этом его максимальная мощность составляет 162 Вт. Благодаря таким характеристикам, данный MOSFET транзистор идеально подходит для использования в силовых схемах, преобразователях, инверторах и других высокомощных электронных устройствах.

  • Напряжение исток-сток макс.: 650В
  • Ток стока макс.: 54А
  • Мощность макс.: 162Вт
  • Тип транзистора: N-канальный
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: PG-TO247-3
  • Вес брутто: 8.1 г
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • Тип упаковки: Tube (туба)
  • Нормоупаковка: 30 шт

Транзистор IPW60R060C7XKSA1 от Infineon Technologies идеально подходит для использования в различных силовых схемах, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи постоянного тока, а также в других высокомощных электронных устройствах, требующих надежных и эффективных полупроводниковых компонентов.