FQP33N10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 33A |
| Сопротивление открытого канала: | 52 мОм |
| Мощность макс.: | 127Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 51нКл |
| Входная емкость: | 1500пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FQP33N10 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
FQP33N10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 127Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.