SI4425BDY-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 8.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 12 мОм |
| Мощность макс.: | 1.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 100нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.24 г. |
| Наименование: | SI4425BDY-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
SI4425BDY-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8A — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: Vishay.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Мощность макс.: 1.5Вт
- Наименование: SI4425BDY-T1-E3
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Нормоупаковка: 2500 шт
- Описание Eng: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 3В
- Производитель: Vishay