FCH35N60, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 35A TO-247
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 35A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 98 мОм @ 17.5А, 10В |
| Мощность макс.: | 312.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 181нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 6640пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247-3 |
| Вес брутто: | 7.2 г. |
| Наименование: | FCH35N60 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 450 шт |
Описание
FCH35N60, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 35A TO-247 - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 35A(Tc) Сопротивление открытого канала: 98 мОм @ 17.5А, 10В Мощность макс.: 312.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.