Представляем вашему вниманию транзистор MOSFET N-канальный IRF630 от компании ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный компонент отличается надежностью и широким спектром возможностей, что делает его отличным выбором для различных электронных устройств и схем.

Основные характеристики транзистора IRF630 включают в себя максимальное напряжение сток-исток 200В, максимальный ток стока 9А, сопротивление открытого канала 0.4 Ом и максимальную мощность 75Вт. Благодаря своим техническим параметрам, этот транзистор идеально подходит для использования в качестве ключевого элемента в импульсных источниках питания, усилителях мощности, регуляторах напряжения и других приложениях, требующих высокой производительности и надежности.

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 9A
• Сопротивление открытого канала: 400 мОм
• Мощность макс.: 75Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 45нКл
• Входная емкость: 700пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Вес брутто: 2.72 г.
• Описание Eng: Single N-Channel 200 V 0.4 Ohm 31 nC 75 W
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор IRF630 находит широкое применение в различных областях электроники, включая промышленное оборудование, автомобильную электронику, бытовую технику и многое другое. Благодаря своим техническим характеристикам и надежности, этот компонент является отличным выбором для инженеров и разработчиков, работающих над созданием высокопроизводительных и энергоэффективных устройств.