FDN306P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 2.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 40 мОм |
| Мощность макс.: | 460мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 17нКл |
| Входная емкость: | 1138пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 (SuperSOT-3) |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | FDN306P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SuperSOT T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Техническое описание: FDN306P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 40 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 2.6A
- Вес брутто: 0.04 г.
- Входная емкость: 1138пФ