CSD23202W10, Транзистор полевой P-канальный 12В 2.2A 4DSBGA
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Texas Instruments |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 2.2A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 53 мОм @ 500mА, 4.5В |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 900mВ @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 3.8нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 512пФ @ 6В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | CSD23202W10 |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | DSBGA4 |
Описание
CSD23202W10, Транзистор полевой P-канальный 12В 2.2A 4DSBGA - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Texas Instruments. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 53 мОм @ 500mА, 4.5В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.