IPD33CN10NGATMA1, Полевой транзистор N-канальный 100В 27А PG-TO252-3
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 27А |
| Тип транзистора: | N-канальный |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD33CN10NGATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET MV POWER MOS |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
IPD33CN10NGATMA1, Полевой транзистор N-канальный 100В 27А PG-TO252-3 - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 27А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount Наименование: IPD33CN10NGATMA1 Производитель: Infineon Technologies
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.