SI7106DN-T1-E3, Транзистор полевой N-канальный 20В 12.5A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 12.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.2 мОм |
| Мощность макс.: | 1.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® 1212-8 |
| Наименование: | SI7106DN-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI7106DN-T1-E3, Транзистор полевой N-канальный 20В 12.5A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.