IRFD110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 1A |
| Сопротивление открытого канала: | 540 мОм |
| Мощность макс.: | 1.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 8.3нКл |
| Входная емкость: | 180пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | DIP-4 |
| Вес брутто: | 0.57 г. |
| Наименование: | IRFD110PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 100 шт |
Описание
IRFD110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.