FDA18N50, Транзистор полевой N-канальный 500В 19A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 19A |
| Сопротивление открытого канала: | 265 мОм |
| Мощность макс.: | 239Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 60нКл |
| Входная емкость: | 2860пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P |
| Вес брутто: | 5.6 г. |
| Наименование: | FDA18N50 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 450 шт |
Описание
Техническое описание: FDA18N50, Транзистор полевой N-канальный 500В 19A. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Описание Eng: MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 265 мОм
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Ток стока макс.: 19A