IPT059N15N3ATMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 155 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 155A |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPT059N15N3ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт. |
| Корпус: | PG-HSOF-8-1 |
Описание
IPT059N15N3ATMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 155 А — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Описание Eng: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
- Производитель: Infineon Technologies
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 155A
- Корпус: PG-HSOF-8-1
- Наименование: IPT059N15N3ATMA1