FDP7N60NZ, Транзистор полевой N-канальный 600В 6.5A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 6.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.25 Ом |
| Мощность макс.: | 147Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 17нКл |
| Входная емкость: | 730пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP7N60NZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Компонент FDP7N60NZ, Транзистор полевой N-канальный 600В 6.5A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.