SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 2.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 216 мОм |
| Мощность макс.: | 3.3Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 350пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-6 |
| Наименование: | SI3459BDV-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 216 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.