FDMA430NZ, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 5A |
| Сопротивление открытого канала: | 40 мОм |
| Мощность макс.: | 2.4Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 11нКл |
| Входная емкость: | 800пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | FDMA430NZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1 шт |
| Корпус: | MicroFET6 |
Описание
FDMA430NZ, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.