FDD5614P, Транзистор полевой P-канальный 60В 15A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 15A |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм |
| Мощность макс.: | 1.6Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 24нКл |
| Входная емкость: | 759пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.5 г. |
| Наименование: | FDD5614P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, P-channel, 60 V, 15 A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
FDD5614P, Транзистор полевой P-канальный 60В 15A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.