BSZ12DN20NS3GATMA1, Полевой транзистор N-канальный 200В 11.3A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 11.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 125 мОм |
| Мощность макс.: | 50Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 8.7нКл |
| Входная емкость: | 680пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | BSZ12DN20NS3GATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
| Корпус: | Power33 |
Описание
BSZ12DN20NS3GATMA1, Полевой транзистор N-канальный 200В 11.3A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.3A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.