FDFS2P106A, Транзистор полевой P-канальный 60В 3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 110 мОм |
| Мощность макс.: | 900мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Diode (Isolated) |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 21нКл |
| Входная емкость: | 714пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Наименование: | FDFS2P106A |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Компонент FDFS2P106A, Транзистор полевой P-канальный 60В 3A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated)
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.