FDS5351, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6.1 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 6.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 35 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 1310пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Наименование: | FDS5351 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDS5351, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6.1 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.