• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

DMN3730UFB4-7, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 750 мА

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Diodes Incorporated
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:750мА
Сопротивление открытого канала:460 мОм
Мощность макс.:470мВт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:950mВ
Заряд затвора:1.6нКл
Входная емкость:64.3пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Наименование:DMN3730UFB4-7
Производитель:Diodes Incorporated
Описание Eng:MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:3000 шт.
Корпус:DFN3

Описание

DMN3730UFB4-7, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 750 мА - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.

Производитель: Diodes Incorporated. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.

Основные параметры:

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 750мА Сопротивление открытого канала: 460 мОм Мощность макс.: 470мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ

Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.

Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.