FQT7N10LTF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 1.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 350 мОм |
| Мощность макс.: | 2Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 6нКл |
| Входная емкость: | 290пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223-3 |
| Вес брутто: | 0.3 г. |
| Наименование: | FQT7N10LTF |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
Компонент FQT7N10LTF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 350 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал