FDS4435BZ, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 8.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 20 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 40нКл |
| Входная емкость: | 1845пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.14 г. |
| Наименование: | FDS4435BZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 8.8 A, 2.5 W |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
| Корпус: | SOIC-8 |
Описание
Компонент FDS4435BZ, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 20 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 8.8A
- Вес брутто: 0.14 г.
- Входная емкость: 1845пФ