FDS3572, Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 8.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 16 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 41нКл |
| Входная емкость: | 1990пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Наименование: | FDS3572 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDS3572, Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.9 А — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Корпус: SOIC8
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Наименование: FDS3572
- Напряжение исток-сток макс.: 80В
- Нормоупаковка: 2500 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В