FDY100PZ, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 350 мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 350мА |
| Сопротивление открытого канала: | 1.2 Ом |
| Мощность макс.: | 446мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 1.4нКл |
| Входная емкость: | 100пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SC-89 |
| Наименование: | FDY100PZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDY100PZ, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 350 мА - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 350мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.