Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой MOSFET-транзистор STP60NF06 от компании ST Microelectronics. Этот транзистор с N-каналом обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые делают его идеальным выбором для широкого спектра электронных устройств и силовых применений.

Основные преимущества транзистора STP60NF06 включают в себя высокую максимальную мощность в 110 Вт, номинальный ток стока до 60 А и низкое сопротивление открытого канала всего 16 мОм. Эти характеристики обеспечивают высокую эффективность и производительность, что делает данный транзистор незаменимым компонентом в таких областях, как промышленная автоматизация, источники питания, инверторы и преобразователи.

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 60A
• Сопротивление открытого канала: 16 мОм
• Мощность макс.: 110Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 73нКл
• Входная емкость: 1660пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.73 г.
• Описание Eng: N-MOS+D 60V, 60A, 110W
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор STP60NF06 от ST Microelectronics идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, таких как импульсные источники питания, инверторы для возобновляемых источников энергии, регуляторы двигателей, а также в промышленной автоматизации и других высокомощных применениях, где требуется высокая производительность и эффективность.