STP6NK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 104Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.2 Ом |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 46нКл |
| Входная емкость: | 905пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.85 г. |
| Наименование: | STP6NK60Z |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-MOS+D 600V, 6A, 104W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET N-канала STP6NK60Z от ST Microelectronics. Этот надежный компонент обладает впечатляющими характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике.
Основные преимущества транзистора STP6NK60Z включают в себя высокое напряжение сток-исток до 600В, максимальный ток стока до 6А и мощность до 110Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 1.2 Ом, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и малые потери энергии в различных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 6A
- Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
- Мощность макс.: 110Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 46нКл
- Входная емкость: 905пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220
Транзистор STP6NK60Z идеально подходит для использования в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, регуляторы, а также в промышленном и бытовом оборудовании. Его высокая надежность и производительность делают его незаменимым компонентом для современной электроники.