Представляем вашему вниманию мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET STD2HNK60Z от компании ST Microelectronics. Данный компонент отличается высокой надежностью, эффективностью и широким спектром применения в современной электронике.

Транзистор STD2HNK60Z обладает выдающимися характеристиками, такими как максимальное напряжение сток-исток 600В, максимальный ток стока 2А и малое сопротивление открытого канала всего 4.8 Ом. Эти параметры делают его идеальным решением для использования в высоковольтных и высокотоковых схемах.

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 2A
• Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом
• Мощность макс.: 45Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
• Заряд затвора: 15нКл
• Входная емкость: 280пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: D-Pak
• Вес брутто: 0.7 г

Транзистор STD2HNK60Z идеально подходит для применения в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы, системы управления электродвигателями и многое другое. Его высокая надежность и эффективность делают его незаменимым компонентом в современной электронной промышленности.