STP4N150, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт, 5 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 1500В |
| Ток стока макс.: | 4A |
| Сопротивление открытого канала: | 7 Ом |
| Мощность макс.: | 160Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 50нКл |
| Входная емкость: | 1300пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.72 г. |
| Наименование: | STP4N150 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой MOSFET транзистор STP4N150 от компании ST Microelectronics. Этот надежный и универсальный компонент отличается превосходными техническими характеристиками, что делает его идеальным решением для широкого спектра электронных устройств и силовых схем.
Транзистор STP4N150 относится к категории одиночных N-канальных MOSFET устройств. Он способен выдерживать максимальное напряжение сток-исток до 1500В, а также обеспечивает высокий ток стока до 4А и мощность рассеивания до 160Вт. Эти впечатляющие параметры позволяют использовать данный транзистор в мощных и энергоемких приложениях.
- Напряжение исток-сток макс.: 1500В
- Ток стока макс.: 4A
- Сопротивление открытого канала: 7 Ом
- Мощность макс.: 160Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 50нКл
- Входная емкость: 1300пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220
- Вес брутто: 2.72 г
Транзистор STP4N150 находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, усилители мощности, системы управления двигателями и многое другое. Его высокая надежность и стабильность характеристик делают его незаменимым компонентом для разработки эффективных и надежных силовых схем.