Представляем вашему вниманию полевой MOSFET транзистор N-канального типа STP10NK60Z от компании ST Microelectronics. Этот надежный и высокопроизводительный компонент отличается превосходными техническими характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.

Транзистор STP10NK60Z обладает максимальным напряжением сток-исток 600В, максимальным током стока 10А и максимальной мощностью 115Вт. Его отличает низкое сопротивление открытого канала всего 750 мОм, что обеспечивает высокую эффективность и низкие потери. Кроме того, транзистор имеет малые значения заряда затвора и входной емкости, что позволяет реализовывать быстродействующие схемы управления.

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 10A
• Сопротивление открытого канала: 750 мОм
• Мощность макс.: 115Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
• Заряд затвора: 70нКл
• Входная емкость: 1370пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.7 г

Транзистор STP10NK60Z от ST Microelectronics находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, а также в промышленном и бытовом оборудовании. Его высокая надежность и стабильность характеристик делают его незаменимым компонентом в современной электронной аппаратуре.