STB30NF10T4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 35A |
| Сопротивление открытого канала: | 45 мОм |
| Мощность макс.: | 115Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 55нКл |
| Входная емкость: | 1180пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | STB30NF10T4 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFET |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию транзистор полевой MOSFET N-канальный STB30NF10T4 от компании ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный компонент обладает широким спектром технических характеристик, что делает его подходящим для использования в различных электронных устройствах и приложениях.
Транзистор STB30NF10T4 отличается надежностью, эффективностью и компактностью. Его характеристики позволяют использовать данный компонент в качестве ключевого элемента в схемах управления питанием, импульсных источниках питания, инверторах, а также в других применениях, требующих высокой мощности и производительности.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 35A
- Сопротивление открытого канала: 45 мОм
- Мощность макс.: 115Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 55нКл
- Входная емкость: 1180пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.2 г.
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 1000 шт
Транзистор STB30NF10T4 идеально подходит для использования в различных силовых электронных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в системах управления двигателями, источниках бесперебойного питания и других приложениях, требующих высокой мощности и надежности.