SI3460DDV-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 7.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 28 мОм |
| Мощность макс.: | 2.7Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 18нКл |
| Входная емкость: | 666пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-6 |
| Наименование: | SI3460DDV-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI3460DDV-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.9 А — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: Vishay.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 7.9A
- Входная емкость: 666пФ
- Заряд затвора: 18нКл
- Корпус: SOT-23-6
- Мощность макс.: 2.7Вт
- Наименование: SI3460DDV-T1-GE3
- Напряжение исток-сток макс.: 20В