SI2325DS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 530мА |
| Сопротивление открытого канала: | 1.2 Ом |
| Мощность макс.: | 750мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 510пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Наименование: | SI2325DS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 150V 530MA SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент SI2325DS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА (Vishay), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Производитель: Vishay
- Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 530мА
- Входная емкость: 510пФ
- Заряд затвора: 12нКл