Представляем вашему вниманию полевой транзистор STP200NF04 от компании ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный N-канальный MOSFET транзистор предназначен для широкого спектра применений, где требуются высокие токи и эффективное управление мощностью.

Основные характеристики данного компонента включают в себя максимальное напряжение сток-исток 40В, ток стока до 120А, низкое сопротивление открытого канала всего 3.7 мОм и максимальную мощность 310Вт. Благодаря этим показателям, STP200NF04 идеально подходит для использования в силовых схемах, импульсных источниках питания, инверторах, приводах двигателей и других высокотоковых приложениях.

• Напряжение исток-сток макс.: 40В
• Ток стока макс.: 120A
• Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм
• Мощность макс.: 310Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 210нКл
• Входная емкость: 5100пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.72 г

Благодаря своим характеристикам, транзистор STP200NF04 находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, приводы электродвигателей, системы управления освещением, а также в промышленной и бытовой электронике, где необходимо эффективное управление высокими токами. Его надежность и высокая производительность делают его незаменимым компонентом для современных силовых схем.