IPW60R075CPFKSA1, Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 39 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 39A |
| Сопротивление открытого канала: | 75 мОм |
| Мощность макс.: | 313Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 116нКл |
| Входная емкость: | 4000пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | PG-TO-247-3 |
| Наименование: | IPW60R075CPFKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 650V 39A TO-247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 240 шт. |
Описание
IPW60R075CPFKSA1, Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 39 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 313Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.