STP10NK70ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 8.6А 35Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 700В |
| Ток стока макс.: | 8.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 850 мОм |
| Мощность макс.: | 35Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 90нКл |
| Входная емкость: | 2000пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220FP |
| Вес брутто: | 2.52 г. |
| Наименование: | STP10NK70ZFP |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 700V 8.6A 35W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор STP10NK70ZFP от ведущего производителя ST Microelectronics. Этот N-канальный MOSFET-транзистор обладает впечатляющими характеристиками и широким спектром применения в электронных устройствах.
Транзистор STP10NK70ZFP отличается высоким напряжением сток-исток до 700В, максимальным током стока до 8.6А и максимальной мощностью до 35Вт. Такие параметры позволяют использовать этот компонент в различных силовых схемах, в том числе в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения и других высоковольтных устройствах.
- Напряжение исток-сток макс.: 700В
- Ток стока макс.: 8.6А
- Сопротивление открытого канала: 850 мОм
- Мощность макс.: 35Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 90нКл
- Входная емкость: 2000пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220FP
- Вес брутто: 2.52 г
- Описание Eng: Field-effect transistor, N-channel, 700V 8.6A 35W
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 50 шт
Транзистор STP10NK70ZFP идеально подходит для использования в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в других высоковольтных и высокотоковых устройствах. Его высокие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом в современной электронике.