Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор STB28NM50N от компании ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный N-канальный MOSFET транзистор предназначен для широкого спектра применений в электронике, где требуются надежные и эффективные компоненты с высокими рабочими характеристиками.

Основные особенности транзистора STB28NM50N:

• Напряжение исток-сток макс.: 500В
• Ток стока макс.: 21A
• Сопротивление открытого канала: 158 мОм
• Мощность макс.: 90Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 50нКл
• Входная емкость: 1735пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: D2Pak (TO-263)
• Вес брутто: 1.6 г
• Описание Eng: N-channel 500 V, 0.135 Ohm, 21 A
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 1000 шт

Транзистор STB28NM50N идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, а также в других устройствах силовой электроники, где требуются надежные и высокопроизводительные компоненты. Благодаря своим выдающимся характеристикам, он обеспечивает эффективную и надежную работу в самых сложных условиях эксплуатации.