Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой MOSFET транзистор STB55NF06T4 от ST Microelectronics. Этот транзистор является отличным выбором для широкого спектра применений, где требуются высокая мощность, надежность и эффективность.

Транзистор STB55NF06T4 обладает впечатляющими техническими характеристиками: максимальное напряжение сток-исток 60В, максимальный ток стока 50А и максимальная мощность 110Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 18 мОм, этот транзистор отличается высокой эффективностью и минимальными потерями.

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 50A
• Сопротивление открытого канала: 18 мОм
• Мощность макс.: 110Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 60нКл
• Входная емкость: 1300пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: D2Pak (TO-263)
• Вес брутто: 2.11 г.
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 1000 шт

Транзистор STB55NF06T4 идеально подходит для широкого спектра применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, приводы электродвигателей, сварочное оборудование и другие высокомощные электронные устройства. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор обеспечивает высокую производительность, надежность и энергоэффективность в ваших проектах.