Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала STD11NM50N от компании ST Microelectronics. Данная модель отличается надежностью, высокой мощностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.

Транзистор STD11NM50N обладает рядом ключевых характеристик, которые делают его незаменимым компонентом для проектирования современной электроники:

• Напряжение исток-сток макс.: 500В
• Ток стока макс.: 8.5A
• Сопротивление открытого канала: 470 мОм
• Мощность макс.: 70Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 19нКл
• Входная емкость: 547пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK
• Вес брутто: 0.58 г
• Описание Eng: N-channel 500 V, 0.4 Ohm, 8.5 A MDmesh(TM) II
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 2500 шт

Транзистор STD11NM50N находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, DC-DC преобразователи, а также другие высоковольтные и высокомощные приложения. Благодаря своим характеристикам, он является идеальным выбором для проектирования надежных и эффективных электронных систем.