• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STD1NK60T4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:600В
Ток стока макс.:1A
Сопротивление открытого канала:8.5 Ом
Мощность макс.:30Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:3.7В
Заряд затвора:10нКл
Входная емкость:156пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:DPAK
Вес брутто:0.47 г.
Наименование:STD1NK60T4
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:N-CHANNEL 600V - 8 Ohm - 1A
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2500 шт

Описание

Представляем вашему вниманию полевой транзистор STD1NK60T4 от компании ST Microelectronics. Это высококачественный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для использования в широком спектре электронных устройств и силовых применений.

Данный транзистор отличается высокой надежностью, эффективностью и производительностью. Он обладает впечатляющими характеристиками, такими как максимальное напряжение сток-исток 600В, максимальный ток стока 1А и малое сопротивление открытого канала всего 8.5 Ом. Эти параметры делают транзистор STD1NK60T4 идеальным выбором для применения в различных схемах, требующих коммутации высоких напряжений и токов.

  • Напряжение исток-сток макс.: 600В
  • Ток стока макс.: 1A
  • Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом
  • Мощность макс.: 30Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
  • Заряд затвора: 10нКл
  • Входная емкость: 156пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: DPAK
  • Вес брутто: 0.47 г
  • Описание Eng: N-CHANNEL 600V - 8 Ohm - 1A
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 2500 шт

Транзистор STD1NK60T4 широко применяется в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, регуляторы мощности, системы управления двигателями и другие схемы, требующие надежную коммутацию высоких напряжений и токов. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для использования в высокоэффективных и надежных силовых электронных устройствах.