STD2NK90ZT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 2.1A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 900В |
| Ток стока макс.: | 2.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.5 Ом |
| Мощность макс.: | 70Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 485пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.43 г. |
| Наименование: | STD2NK90ZT4 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Полевой транзистор N-канала STD2NK90ZT4 от компании ST Microelectronics является высокопроизводительным силовым полупроводниковым компонентом, предназначенным для использования в различных электронных устройствах и системах. Этот транзистор отличается высоким напряжением пробоя стока-истока, низким сопротивлением открытого канала и высокой максимальной мощностью, что делает его подходящим для широкого круга применений.
Основные характеристики транзистора STD2NK90ZT4:
- Напряжение исток-сток макс.: 900В
- Ток стока макс.: 2.1A
- Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом
- Мощность макс.: 70Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 27нКл
- Входная емкость: 485пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Вес брутто: 0.43 г
- Описание Eng: N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор STD2NK90ZT4 находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы для солнечных панелей, преобразователи постоянного тока, двигатели и другие высоковольтные и высокотоковые приложения. Его высокая надежность и эффективность делают его идеальным выбором для разработчиков, стремящихся создавать энергоэффективные и высокопроизводительные устройства.