FDD306P, Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 6.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 28 мОм |
| Мощность макс.: | 1.6Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 21нКл |
| Входная емкость: | 1290пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FDD306P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDD306P, Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.