SI4190ADY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 18.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 8.8 мОм |
| Мощность макс.: | 6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Заряд затвора: | 67нКл |
| Входная емкость: | 1970пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4190ADY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
SI4190ADY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18.4 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18.4A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.