Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET P-канальный STN3P6F6 от компании ST Microelectronics. Данный компонент отличается высокой производительностью и надёжностью, что делает его отличным выбором для широкого спектра электронных устройств.

Ключевые характеристики транзистора STN3P6F6:

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 3А
• Сопротивление открытого канала: 160 мОм
• Мощность макс.: 2.6Вт
• Тип транзистора: P-канальный
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 6.4нКл
• Входная емкость: 340пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: SOT-223
• Вес брутто: 0.21 г.
• Описание Eng: MOSFET P-CH 60V SOT-223
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 4000 шт

Транзистор STN3P6F6 идеально подходит для широкого спектра применений, включая импульсные источники питания, моторные приводы, усилители мощности и другие устройства, где требуется надёжный и высокопроизводительный P-канальный MOSFET транзистор. Благодаря своим техническим характеристикам, он обеспечивает эффективное управление мощными нагрузками при минимальных потерях.