FDN336P, Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 1.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 200 мОм |
| Мощность макс.: | 460мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 5нКл |
| Входная емкость: | 330пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.02 г. |
| Наименование: | FDN336P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
FDN336P, Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.