• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STN1NK80Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:800В
Ток стока макс.:250мА
Сопротивление открытого канала:16 Ом
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:4.5В
Заряд затвора:7.7нКл
Входная емкость:160пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:SOT-223
Вес брутто:0.25 г.
Наименование:STN1NK80Z
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:MOSFET 800V 16 OHM
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный STN1NK80Z от компании ST Microelectronics. Этот надёжный и высокопроизводительный компонент предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, требующих управления высоким напряжением и током.

Основные технические характеристики транзистора STN1NK80Z:

  • Напряжение исток-сток макс.: 800В
  • Ток стока макс.: 250мА
  • Сопротивление открытого канала: 16 Ом
  • Мощность макс.: 2.5Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
  • Заряд затвора: 7.7нКл
  • Входная емкость: 160пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SOT-223
  • Вес брутто: 0.25 г
  • Описание Eng: MOSFET 800V 16 OHM
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 4000 шт

Транзистор STN1NK80Z идеально подходит для применения в высоковольтных схемах управления, импульсных источниках питания, инверторах, коммутаторах, а также в других устройствах, где требуется надёжное управление высоким напряжением и током. Его компактный поверхностный монтаж и высокая производительность делают его незаменимым элементом при проектировании современной электронной аппаратуры.