FQA170N06, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 170 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 170A |
| Сопротивление открытого канала: | 5.6 мОм |
| Мощность макс.: | 375Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 290нКл |
| Входная емкость: | 9350пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P |
| Вес брутто: | 6.401 г. |
| Наименование: | FQA170N06 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 450 шт. |
Описание
FQA170N06, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 170 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.