IRFIBE20GPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 1.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.5 Ом |
| Мощность макс.: | 30Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 38нКл |
| Входная емкость: | 530пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Наименование: | IRFIBE20GPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
IRFIBE20GPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.4 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Vishay. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.