FDMC86116LZ, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.3 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 3.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 103 мОм |
| Мощность макс.: | 2.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.2В |
| Заряд затвора: | 6нКл |
| Входная емкость: | 310пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FDMC86116LZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | Power33 |
Описание
FDMC86116LZ, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.3 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 103 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.