AUIRFB8405, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 120A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.5 мОм |
| Мощность макс.: | 163Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.9В |
| Заряд затвора: | 161нКл |
| Входная емкость: | 5193пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.86 г. |
| Наименование: | AUIRFB8405 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канальный AUIRFB8405 от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот надежный компонент отличается впечатляющими характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.
AUIRFB8405 обладает максимальным напряжением сток-исток 40 В и способен пропускать ток до 120 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 2,5 мОм, что обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери. Данный транзистор может работать при максимальной мощности до 163 Вт, что делает его отличным выбором для высокопроизводительных силовых схем.
- Напряжение исток-сток макс.: 40В
- Ток стока макс.: 120A
- Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
- Мощность макс.: 163Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
- Заряд затвора: 161нКл
- Входная емкость: 5193пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.86 г.
AUIRFB8405 находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, электродвигатели и другие высокотоковые устройства. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является оптимальным выбором для разработчиков, стремящихся к высокой производительности и надежности в своих проектах.